台积电先进工艺进展：发布5纳米加强版，2022年量产3纳米

在2021开放创新平台(OIP)生态系统论坛上，台积电宣布推出N4P 制程技术，成为5纳米技术平台中最新的版本，采用N4P技术生产的首批产品预计于2022年下半年完成产品设计定案。
这是继N5、N4后，台积电5纳米家族的第三个主要强化版本。台积电称，N4P 的性能较原先的N5 增快11%，较N4 增快6%。与N5相比，N4P 的功耗效率提升22%，晶体管密度增加6%。
同时，N4P借由减少光罩层数来降低制程复杂度且改善晶圆的生产周期。由于都是5纳米技术平台，台积电称，N4P制程技术设计可将基于5纳米制程的产品轻松移转。
5纳米已经是台积电营收的重要来源。根据台积电第三季度业绩表现，5纳米制程出货占该公司2021年第三季晶圆销售金额的18%；7纳米制程出货占全季晶圆销售金额的34%。总体而言，先进制程（包含7纳米及更先进制程）的营收达到全季晶圆销售金额的52%。
除了在中国台湾，台积电还斥资120亿美元在美国亚利桑那州建造一座5纳米芯片工厂。今年二季度业绩会上，台积电董事长刘德音称，该厂进展顺利。首批美国雇佣的工程师在 4 月下旬已经抵达台湾，接受5纳米技术培训。 美国工厂建设已经动工，预计设备将在2022年下半年进厂。
不过，有台积电员工告诉第一财经，美国项目并不顺利。一些在中国台湾的美国工程师抱怨技术培训时间过长，并不愿配合。
除了5纳米，台积电3纳米也将采用 FinFET 晶体管结构。目前，3纳米技术开发已步入正轨。
台积电总裁魏哲家表示，已经为 HPC（高性能计算）和智能手机应用程序开发了完整的平台支持。 3纳米制程的风险量产计划于2021年进行，2022 年下半年开始规模量产，“N3的客户参与度很高。与N5相比，第一年N3的新流片量会更多。”
台积电还推出了 N3E 作为3纳米工艺系列的扩展，预计N3E 的量产计划在 N3 之后的一年进行。
能够竞逐晶圆制造先进制程的如今只剩下台积电、三星和英特尔。今年十月初，三星电子宣布从2025年开始大规模生产2纳米芯片；英特尔也宣布了加强代工计划，并希望在2025年前能赶上台积电和三星等竞争对手。
面对虎视眈眈的三星和英特尔，魏哲家在三季度业绩会上回应称，有信心台积电会非常有竞争力，“在2025年，我们2纳米的技术、密度和性能将是最具竞争力的。”他透露，台积电2纳米正在考虑使用GAA（环绕栅晶体管）技术，但并未披露具体计划。

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