Intel 的3D 记忆体比现代储存媒介快1000 倍

虽然很想把文章写得像发现了新大陆一样兴奋，但仔细读过去，就会发现Intel 和Micron 共同发表的这个新的「3D Xpoint（发音如cross-point）」，其实就是我们多年前写过的忆阻器和材料技术的实用化。 至少很难得地，这个技术竟然能照着预计的时程推出，之前答应「2016 可以实用化」，目前看起来应该是没有问题的呢。

这颗新晶片利用了两个新的技术：一个是可以改变电阻的一种晶体，对这种晶体施加电压可以改变它的电阻值，并在电压消失后继续保存着。 如果我们把不同的电阻值视为数据的0 或1，那测量电阻值就可以知道这个晶体存放的资料是什么了。 第二个技术是称为「crosshatch」的电路结构，由垂直方向的多层细密电线交错而成，层与层之间连通上述的晶体。 这种方式的资料储存是立体的，所以在密度上可以比普通的NAND 高十倍，读写快千倍，而且也更耐久。 这么一来，忆阻体可以有等同，或什至超过DRAM 的表现，而且还是永久储存，不会因断电而损失资料。 说不定它可以在未来，让记忆体和存储的分野消失，CPU 直接去读写硬碟的资料！

Intel 将先把这个技术应用在大数据上，特别是大量资料的即时分析。 虽然据称Xpoint 已经在量产中，但要来到消费者手上大概还是有一段距离的。